實驗室一維亥姆霍茲線圈技術參數
產品概述：
實驗室一維亥姆霍茲線圈技術參數 典型的單軸亥姆霍茲線圈是具有相同線圈匝數，相同線圈繞制方式，線圈半徑等于線圈間距的兩個線圈組成的。亥姆霍茲線圈一般用來產生指定體積比較大、均勻度比較高， 但磁場值比較弱的磁場。用戶可以利用這個磁場來完成各種實驗，亥姆霍茲線圈可根據不同的應用產生靜態DC或AC磁場。
主要用途：地球磁場的抵消、判定磁屏蔽效應、電子設備的磁化系數、磁通門計和航海設備的校準、生物磁場的研究及與磁通計配合使用檢測永磁體特性。適用于各研究所，高等院校及企業做物質磁性或檢測實驗，應用于材料、電子、生物、醫療、航空航天等領域。
錦正茂科技有限公司擁有自己的磁場開發團隊，在亥姆霍茲線圈的設計方面具有豐富的經驗，生產的亥姆霍茲線圈及高穩定性電源（10PPM）的質量和穩定性具有其它廠家無法比擬的優越性。可為您提供一維，二維和三維的亥姆霍茲線圈，目前相繼開發設計出：圓形、方形、和八邊形亥姆霍茲線圈，同時借助有限元設計工具，開發了補償式八邊形亥姆霍茲線圈，將線圈均勻區提高了八倍。所涉及的線圈可以是固定的，也可以是旋轉的，所產生的磁場的范圍可以從幾百nT到上千高斯，磁場的均勻度在均勻區內zui高可以達到萬分之一。您可以將您的要求反饋給我們，我們可以根據您的設計要求進行仿真計算設計。所有特殊的安裝要求應該在應用中注明。相信我們獨特的技術，獨特設計思想和我們獨特的制造工藝能給您提供滿意的產品和上等的服務。
一維方形亥姆霍茲線圈JF1200
技術指標：
● 線圈內空直徑約145mm，線圈外直徑約240mm；
● 線圈繞線線徑1.5mm，線圈電阻3歐姆；
● 線圈輸入電流5A時，對應線圈中心磁場不低于100Gs；
● 線圈均勻度1%時，對應線圈中心均勻區域大小優于40*40*40mm；
● 線圈均勻度0.5%時，對應線圈中心均勻區域大小優于32*32*32mm。
一維方形線圈不同型號技術指標
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型號
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邊長
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磁場值（Gs）
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0.5%均勻區
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1%均勻區
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2%均勻區
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5%均勻區
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JF1200
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1200
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2/5/10/12
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180*180*180
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230*230*230
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270*270*270
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350*350*350
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JF1600
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1600
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2/5/8/9.5
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240*240*240
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300*300*300
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360*360*360
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460*460*460
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JF2000
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2000
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2/5/7.5
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300*300*300
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380*380*380
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450*450*450
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580*580*580
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JF2400
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2400
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2/5/6.5
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360*360*360
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450*450*450
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540*540*540
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700*700*700
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JF2800
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2800
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1/3/5.5
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430*430*430
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530*530*530
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630*630*630
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820*820*820
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JF3000
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3000
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1/3/5
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450*450*450
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570*570*570
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680*680*680
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880*880*880
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